Полное перемещение дислокации

/>Полное перемещение дислокацииЕстественно, что одна область кристалла (на схеме верхняя) находится в условиях бокового сжатия, в то время как другая—растяжения. С удалением от центра дислокации влияние последней быстро затухает и искажения атомной решетки уже не наблюдается.

Относительно более высокий уровень свободной энергии атомов, расположенных непосредственно у дислокации, по сравнению с остальными атомами предопределяет малую устойчивость первых.

Отсюда следует, что потребная величина скалывающего напряжения, способного сдвинуть эти атомы, или, иначе говоря, напряжение, достаточное для смещения дислокации, будет значительно меньше того, которое необходимо для одновременного сдвига всех атомов в плоскости скольжения при совершенном расположении.

Полное перемещение дислокации, возникшее на одной из граней в сторону другой грани, равносильно сдвигу двух частей кристалла на одно атомное расстояние. Рассмотрим две характерные дислокации, из которых одну принято называть положительной, а другую отрицательной.

Под влиянием напряжения т, действующего в плоскости сдвига, эти дислокации имеют противоположные направления движения.

Конечный результат их перемещения, а именно — смещение двух частей кристалла на одно атомное расстояние в сторону действующего напряжения, не зависит от знака дислокации, что и показано. Подсчеты, основывающиеся на атомной теории, показали, что большого расхождения между напряжениями, необходимыми для сдвига дислокации, и напряжениями, вызывающими сдвиг в реальных кристаллах, нет, т. е. изложенная схема пластической деформации весьма правдоподобна.

Число поверхностных атомов кристалла составляет лишь небольшую часть от их общего количества. Это дает основание полагать, что, помимо единичных дислокаций по границам кристалла, не исключена возможность и даже более вероятно возникновение парных (противоположного знака) дислокаций в глубине кристалла.

/> />

Читайте так же:

Комментарии запрещены.